鑫策略合肥，即将诞生一个超级IPO

合肥鑫策略，即将诞生一个超级IPO

A股即将迎来一位真正的王者。

7月7日，证监会官网显示，国产DRAM内存芯片大厂长鑫科技集团股份有限公司（以下简称长鑫存储）启动首次上市辅导，中金公司、中信建投担任辅导机构。

长鑫存储是中国大陆规模最大、技术最先进、唯一实现大规模量产通用型DRAM的IDM企业。它与专攻NAND Flash的长江存储，被并称为中国的存储双雄。

所谓DRAM，也就是你电脑里的内存条，是几乎所有智能设备都离不开的基础芯片。从智能手机、个人电脑到数据中心服务器，再到新兴的虚拟现实、物联网设备和机器人，如果没有DRAM，都会成为废铁。毫不夸张的说，DRAM是现代信息社会的基石之一。

如此重要的基础性产业，任何大国都不会甘心拱手让人，中国尤其如此。作为世界上最大的电子产品生产国，中国9成以上的存储芯片需要进口。根据对外经济贸易大学数字经济实验室发布的《中国芯片产品贸易月度监测报告》，仅2024年中国就进口了932亿美元的存储芯片，其中一半以上是DRAM。攻克DRAM，是一场中国不能输的战役。

然而，在长鑫存储之前中国的DRAM产业几乎是空白。2016年成立长鑫存储，仅用了几年时间就奇迹般地完成了从0到1的创业，以一己之力打破了全球DRAM市场已维持二十余年的铁板一块的格局。长鑫存储的成功，是中国科技产业真正实现高水平自立自强的一个关键风向标。

根据证监会发布的2024年新规，辅导期原则上不少于3个月，若进展顺利，预计最快于2025年底或2026年初可提交IPO申请。资料显示，长鑫存储在上市前的融资中估值就已经高达1500亿元。看一看A股上2000多亿市值的寒武纪和3000多亿市值的海光信息，长鑫存储的IPO将非常令人期待。

中国DRAM的漫漫长路

DRAM是如此重要，中国对它的攻关跨越了数十年时间、耗资数千亿，长鑫存储不过是这部史诗的最新章节。

这场战役可以一直追溯到1970-1980年代。1975年北京大学物理系半导体研究组试制出中国大陆第一块1K DRAM，这比英特尔量产世界上第一颗DRAM芯片晚了五年时间。1979年，中国科学院的半导体研究所试制成功了4K DRAM，1980年又研制成功了16K的DRAM，只比韩国晚一到两年。

应该说，直到1980年代初，中国在科研上与全球领先的DRAM玩家并不存在不可逾越的鸿沟。但进入90年代之后，中国在DRAM产业化上屡屡受挫，最终错失了产业的黄金机遇期。

1990年8月，中国决定在“八五”计划期间推动半导体产业升级鑫策略，著名的“908工程”出炉。908工程总投资约20亿人民币，这在当时是一笔巨款，充分体现了国家发展半导体产业的决心。这20亿资金的大部分都投向了位于无锡的华晶电子集团公司，这是中国第一家具规模的晶圆厂。

但这一次尝试的结果非常不理想。1993年无锡华晶制造出第一块256K DRAM，比韩国晚7年。然后直到1997年，华晶工程终于建成投产，此时其技术水平已大大落后于国际主流技术四至五代，完全丧失了商业竞争力。投产当年华晶即亏损2.4亿元，几年后其部分业务被整合至其它企业，自身逐步退出历史舞台。

在无锡华晶之后的第二次尝试，是1995年启动的“909”工程，该工程的旗舰项目是1996年在上海成立的华虹微电子有限公司。华虹没有选择闭门造车，而是与日本NEC公司合作。由NEC提供了当时主流的0.35微米技术，将主产品精准地定位在市场需求旺盛的64Mb DRAM上。

与无锡华晶长达近十年的拖延相比，上海华虹的推进速度要快得多。1999年，上海华虹成功量产64M DRAM，这是中国半导体产业的一个重大突破。2000年，上海华虹实现盈利，标志着在商业上也取得了成功。然而，由于上海华虹在技术上依赖日本NEC公司，2001年后随着NEC退出DRAM市场，华虹也就退出了DRAM产业。

接下来对DRAM发起冲击的是中芯国际。2004年，中芯国际在北京建成了中国大陆第一座12英寸晶圆厂，而后与日本DRAM大厂尔必达签署了代工协议，为其生产0.13微米工艺的DRAM芯片。

但这段合作没给中芯国际带来好结果。没多久双方就因商业纠纷而对簿公堂，最终导致中芯国际在2008年退出了DRAM代工市场。

至此，从计划模式到战略投资模式，再到纯市场化的代工模式，经历多轮尝试之后，中国始终未能染指DRAM产业分毫，DRAM仿佛成了中国产业升级之路上的一道天堑。

而在这几十年当中，全球DRAM市场在美、日、韩多年“三国杀”之后，逐渐形成了韩国的三星、SK海力士与美国的美光科技三家巨头高度垄断的格局。这三家公司逐渐占据了全球DRAM市场超过95%的市场份额，已经形成了一道坚不可摧的屏障。

天降大任于合肥

面对这种局面，任何理智的人都会同意DRAM没有新玩家的机会了。寡头垄断的格局，意味着任何新玩家都将直面技术专利封锁、规模成本劣势和客户渠道壁垒。并且DRAM是典型的“资本+技术”双密集型产业，单条产线投资就超过百亿美元。在缺乏成熟技术积累的情况下，谁能不计后果地投入一场规模如此巨大的烧钱马拉松？

没想到，此时还真杀出了一个不要命的程咬金。2016年，长鑫存储在合肥成立，中国又一次向DRAM产业发起挑战。

长鑫存储的“爹”是合肥，“妈”是兆易创新，两个都非等闲之辈。

一年之前鑫策略，合肥刚刚完成了一轮对市属国有资本的大重组，组建了合肥产投、合肥建投、合肥兴泰三大国有投融资平台，“最牛风投城市”正呼之欲出。

另一边，兆易创新在这一年登陆上交所，以连续18个一字涨停，成为当年的“打新王”。兆易创新当时已经是一家世界知名的存储龙头，但其主打产品Nor Flash，是一种在整个存储市场上占比仅2%左右的边缘产品。此时，兆易创新创始人朱一明想要挑战一下DRAM这顶存储行业的皇冠了。

于是乎，合肥出钱，兆易创新出力，长鑫存储就这样出炉了。根据合肥产投与兆易创新签署的《关于存储器研发项目之合作协议》，项目一期总投资180亿，合肥产投与兆易创新各按照4:1负责筹集。合肥产投的144亿先到位，兆易创新的36亿元其后几年陆续到位。另外，协议约定长鑫存储优先给兆易代加工DRAM芯片，兆易创新则允诺帮长鑫代销自产的DRAM芯片产品。

成立之后，长鑫存储以奇迹般的速度，几乎是一气呵成地攻克了DRAM这座堡垒。

2016年5月，长鑫项目启动。

2017年3月，一期工厂动工建设。

2018年1月，厂房建成，开始安装设备。

2018年底8Gb DDR4工程样片下线。

2019年三季度量产8Gb DDR4。

2019年底产能爬坡至2万片/月。

2020年开始规划二期工厂建设。

2020年底产能提升至7万片/月。

2021年突破17纳米工艺。

2024年二期工厂投产，总产能提升至24万片/月。

数据清晰的显示，长鑫存储已经事实上终结了三星、SK海力士和美光对全球DRAM市场的三头垄断。2014，长鑫存储已经占据全球DRAM市场5%的份额，位列全球第四大DRAM厂商。2025年的占有率预计将提升到8%，是全球增长最快的存储芯片厂商。